第四代半导体材料领域取得重要进展 氧化镓VS碳化硅 谁是未来十年的主角？:环球实时

(资料图片仅供参考)

日前，在美国旧金山召开的第68届国际电子器件大会上，中国科大国家示范性微电子学院龙世兵教授课题组两篇关于氧化镓器件的研究论文(高功率氧化镓肖特基二极管和氧化镓光电探测器)被大会接收，这也是中国科大首次以第一作者单位在国际电子器件大会上发表论文。专业人士指出，氧化镓材料是最有可能在未来大放异彩的材料之一，在未来的10年左右，氧化镓器件有可能成为有竞争力的电力电子器件，会直接与碳化硅器件竞争。 (详情)

标签： 电子器件 肖特基二极管 电力电子器件